(CercleFinance.com) - STMicroelectronics et Soitec annoncent la prochaine étape de leur coopération relative aux substrats en carbure de silicium (SiC) avec la qualification par ST de la technologie de production de substrats en SiC de Soitec.
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L'objectif de cette coopération, qui porte sur les 18 prochains mois, est l'adoption par ST de la technologie SmartSiC TM de Soitec pour sa fabrication future de substrats en 200 mm destinés à la production de produits et de modules, avec une production en volume prévue à moyen terme.
' La transition vers des plaquettes SiC en 200 mm apportera des avantages substantiels à nos clients des secteurs de l'automobile et de l'industriel qui accélèrent la transition vers l'électrification de leurs systèmes et de leurs produits. Il est important de réaliser des économies d'échelle à mesure qu'augmentent les volumes de produits ', a déclaré Marco Monti, Président du Groupe Produits Automobiles et Discrets de STMicroelectronics.
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